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TX8M2261系列電機(jī)驅(qū)動MCU

TX8M2261系列電機(jī)驅(qū)動MCU

     最高48MHz HIRC, 精度1%

★  每個I/O均可作為ADC輸入,每個I/O均可做中斷喚醒.

★  集成3P+3N 型的40V 三相全橋柵極gate driver (TX8M2261特有)

★  寬工作電壓 2.4V ~ 5.5V.

★  可編程I/O驅(qū)動能力: 4mA ~ 64mA.

★  工作溫度-40 ~ 105.

★  支持有符號數(shù)/無符號數(shù)的數(shù)學(xué)計算功能包括32 /16 位除法,16 /16 位除法, 
           16 x16 位乘法,16 +16 位加法,16 -16 位減法,32 位開平方;


★  外設(shè)接口UART/SPI/I2C/PWM輸出/LED driveSEGCOM/比較器輸出,可以隨意配置引腳
   位
, 比較器、運放輸入可以有限配置引腳位置, 方便電路設(shè)計.

TX8M2261


產(chǎn)品概述


1. 說明

        TX8M2261 是一款高性能低功耗的8051 內(nèi)核MCU,工作主頻最高為48MHz,內(nèi)置16K 字節(jié)LogicFlash 存儲器(支持類EEPROM 功能),2K 字節(jié)SRAM。

        TX8M2261 內(nèi)部集成了3P+3N 型的40V 三相全橋柵極gate driver,具有三路獨立的高低邊輸出,可以用來驅(qū)動全橋電路中的大功率MOSFET 或IGBT。內(nèi)置了直通防止和死區(qū)時間,能夠避免被驅(qū)動的高低側(cè)MOSFET 或IGBT 直通,有效保護(hù)功率器件;內(nèi)置了5V/50mA LDO,內(nèi)置LDO 具有短路,過流保護(hù)功能;驅(qū)動器內(nèi)置過溫保護(hù)功能;

  模擬資源:

        1 個12 位500KSPS 的SARADC、2 個多功能比較器,3 個運算放大器。

  定時器資源:

        6 個16 位高級定時器(3 對互補(bǔ)PWM、帶死區(qū)控制或6 路獨立PWM)、

        5 個16 位通用定時器(都支持Capture、Count、PWM 功能)、

        1 個16 位喚醒定時器(都支持Capture、Count、PWM 功能)、

        1 個8 位蜂鳴器(支持PWM、Count 功能)、

        1 個看門狗定時器。

  標(biāo)準(zhǔn)的通信接口:

        1 個SPI 接口、1 個IIC 接口和2 個UART 接口(其中UART1 支持DMA 工作方式)。

  LED 顯示功能:

        支持多達(dá)8COM x 12SEG。

  GPIO:

        內(nèi)置30K 上下拉電阻,多個驅(qū)動檔位可配置,每個IO 都可以作為ADC 的輸入,每個IO 都可以作為IO 中斷喚醒口。

  硬件加速模塊:

        支持有符號數(shù)/無符號數(shù)的數(shù)學(xué)計算功能包括32 位/16 位除法,16 位/16 位除法,16 位x16 位乘法,16 位+16 位加法,16 位-16 位減法,32 位開平方;

        TX8M2261 工作電壓為6.5V~40V,工作溫度范圍-40℃ ~ +105℃。多種省電工作模式保證低功耗應(yīng)用的要求,最低功耗模式5uA(MCU)+150uA(Gate Driver)。

        TX8M2261 提供SSOP24、LQFP32 等封裝形式,根據(jù)不同的封裝形式,器件中的外設(shè)資源配置不盡相同。

應(yīng)用場合:

        - 電機(jī)控制產(chǎn)品


2. 特性

  ◆內(nèi)核

        - 超高速8051 內(nèi)核(1T)

        - 指令全兼容傳統(tǒng)8051

        - 工作最大主頻:48MHz

        - 32 個中斷源,支持硬件兩級優(yōu)先級

        - 支持在線調(diào)試接口

        - 支持代碼加密

        - 支持帶電燒錄

  ◆工作電壓

        - 6.5V ~ 40V寬電壓范圍供電

  ◆存儲器

        - 16K字節(jié)LogicFlash存儲器,用于存儲用戶代碼,并且支持類EEPROM(擦寫次數(shù)典型值10 萬次)

        - 2K字節(jié)RAM

  ◆時鐘

        - 內(nèi)部1~48MHz高精度HIRC,支持校準(zhǔn)(誤差±1%)

        - 內(nèi)部64KHz低速LIRC,支持校準(zhǔn)(誤差±1%)

        - 外部32.768 KHz/8~40MHz晶振,需要外部加電容

  ◆復(fù)位

        - 上電復(fù)位

        - 欠壓復(fù)位

        - 復(fù)位腳復(fù)位

        - 看門狗溢出復(fù)位

        - LVD低壓檢測復(fù)位,提供8 級低壓檢測電壓(2.0/2.2/2.4/2.7/3.0/3.7/4.0/4.3V)

  ◆數(shù)字外設(shè)

        - 1 個SPI高速串行接口,支持主從模式

        - 1 個I2C接口,支持多主和從機(jī)模式

        - 2 個UART接口,最大支持4Mbps

  ◆定時器資源

        - 6 個16 位高級定時器,支持3 對互補(bǔ)輸出,支持死區(qū)插入和事件剎車功能,支持單脈沖模式?;蛑С? 個獨立PWM輸出

        - 5 個16 位通用定時器,都支持Capture、Count、PWM功能

        - 1 個16 位喚醒定時器

        - 1 個8 位蜂鳴器定時器

        - 1 個看門狗定時器

  ◆LED顯示功能

        - 支持多達(dá)8COM x 12SEG

  ◆高安全性

        - 支持32 bit CRC效驗,保證數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性

  ◆硬件加速模塊

        - 支持有符號數(shù)/無符號數(shù)的算術(shù)計算功能

        - 支持除法運算(32/16、16/16)

        - 支持乘法運算(16x16)

        - 支持加法運算(16+16)

        - 支持減法運算(16-16)

        - 支持開平方運算(32 位)

  ◆低功耗

        - 支持IDLE、STOP、SLEEP低功耗模式

        - 靜態(tài)功耗5uA(MCU)+150uA(Gate Driver)

        - 低功耗喚醒時間小于100us

  ◆1 個高精度12 位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)

        - 轉(zhuǎn)換時鐘最快支持10MHz,最大采樣率500KSPS

        - 失調(diào)校正step 2mV,DNL +-2 INL +-4,ENOB 10bit

        - 26 個外部輸入通道,2 條模擬通路

        - ADC支持外部VCC參考和內(nèi)部2.0/2.4/3/3.6/4.2 做參考

        - 支持內(nèi)置基準(zhǔn)電壓采樣

  ◆2 個模擬比較器(ACMP)

        - 2 個低失調(diào)比較器,校正step 1mV

        - 比較器支持負(fù)端輸入精準(zhǔn)BG或者VDDADC的120 個分壓檔位

        - 兩個比較器都支持軌道軌輸入模式,正端支持6 個GPIO,負(fù)端支持2 個GPIO

  ◆3 個可編程增益放大器(OP)

        - 3 個可編程高增益放大器,多級可配置增益(1/2/4/8/16/32/64/128/256/512)

        - 支持OP工作模式,外接電阻調(diào)節(jié)放大增益

  ◆GPIO

        - 所有端口均可輸入輸出5V 信號

        - 均支持上升沿/下降沿/雙邊沿中斷

        - 均支持上/下拉電阻功能

        - 均支持喚醒功能

        - 可編程驅(qū)動能力,驅(qū)動電流范圍4mA ~ 64mA,每個檔位調(diào)節(jié)4mA。

        - 支持OD輸出低/高模式。

        - 支持獨立控制的上下拉電阻,阻值30KΩ

  ◆GATE DRIVER特性

        - 電源VCC工作范圍:6V~40V

        - 三相PMOS+NMOS驅(qū)動

        - 驅(qū)動輸出電壓11V

        - 待機(jī)電流: 150uA

        - 內(nèi)置100ns死區(qū)時間

        - 內(nèi)置5V/50mA LDO

        - 過熱保護(hù)功能

  ◆高可靠性

        - ESD HBM 6KV

        - Latch-up ±200mA @25℃

  ◆96 位的芯片唯一ID(UID)

  ◆封裝

        - SSOP24

        - LQFP32

  ◆工作溫度范圍

        - -40℃~ +105℃


3. 選型表



產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號封裝主控主頻(MHz)Flash
    (KByte)
SRAM
    (Byte)
EEROM
    (Byte)
GPIO工作電壓(V)工作溫度(℃)MDU(數(shù)學(xué)運算硬件加速器)Gate DriverTouch KeyLED(com*seg)高級Timer通用TimerWatchdogPWMUARTSPIIICADC(12bit通道數(shù))DACACMPOPPGACRC代碼加密低功耗
TX8M2261TX8M2261SS24SSOP24805148162048128152.4 ~ 5.5﹣40 ~ 10513P3N08*76*16bit5*16bit1621115222215uA
TX8M2261LQ32LQFP32805148162048128202.4 ~ 5.5﹣40 ~ 10513P3N08*126*16bit5*16bit1621120223315uA



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